Método Czochralski de crecimiento de monocristales
Czochralski method of single-crystal growth
- Fecha
- 1916 · fiabilidad alta
- Lugar
- Berlín, Alemania
- Autoría
- Jan Czochralski
- Ámbito
- Materia y energía
Qué es
Procedimiento para obtener un monocristal levantando lentamente una semilla desde un baño fundido. Czochralski lo ideó midiendo la velocidad de cristalización de metales, y se convirtió en el método estándar para fabricar obleas de silicio.
Se descubrió en 1916 en la AEG de Berlín y se publicó en 1918. Su aplicación a semiconductores fue de Teal y Little (Bell Labs, 1950). La anécdota de la pluma mojada en estaño en lugar de tinta es tradición no documentada.
A qué dio paso
- obleas de silicio y germanio para transistores y chips
- monocristales para láseres, cristales ópticos y paneles solares
- base de la industria de semiconductores