Efecto transistor (amplificación en semiconductores)
The transistor effect
- Fecha
- 1947 · fiabilidad alta
- Lugar
- Bell Labs, Murray Hill, Nueva Jersey, Estados Unidos
- Autoría
- John Bardeen; Walter Brattain; William Shockley
- Personas
- 👤 John Bardeen1908–1991👤 Walter Houser Brattain1902–1987👤 William Bradford Shockley1910–1989
- Ámbito
- Materia y energía
Qué se descubrió
El 16 de diciembre de 1947 Bardeen y Brattain observan que dos contactos de oro sobre germanio amplifican una señal: los estados de superficie y la inyección de portadores minoritarios permiten controlar una corriente grande con otra pequeña. Es el descubrimiento físico que funda la electrónica de estado sólido.
Shockley no participó en el experimento del transistor de punto de contacto pero inventó el de unión; tensiones internas conocidas.
A qué dio paso
- Transistor de unión (Shockley, 1948) y circuito integrado (1958)
- Microelectrónica y ordenadores
- Física de superficies y de semiconductores
- Era digital
Se apoya en
- Germanio (Ge, Z=32)1886
- Principio de exclusión de Pauli1925
- Transistor de efecto campo (patente de Lilienfeld)1925 (patente)
- Unión p-n de Ohl
- Teoría de bandas
- Purificación de germanio y silicio para radar
- Teoría de estados de superficie de Bardeen
Hizo posible
- Transistor bipolar de unión1948
- Radio de transistores1954
- Circuito integrado (Kilby)1958
- Marcapasos implantable1958
- Satélite de comunicaciones (Telstar 1, Syncom, Intelsat I)1962
- Detector de humo doméstico a pilas1965
- Microprocesador (Intel 4004)1971
- RFID y NFC1973-2004
- Apple II, ordenador personal de consumo1977