Transistor bipolar de unión
Bipolar junction transistor
- Fecha
- 1948 · fiabilidad alta
- Lugar
- Bell Labs, Murray Hill, Nueva Jersey, EE. UU.
- Autoría
- William Shockley (Bell Labs); fabricado por Morgan Sparks y Gordon Teal en 1951
- Personas
- 👤 William Bradford Shockley1910–1989
- Ámbito
- Materia y energía
Qué es
Transistor basado en uniones p-n cultivadas en un monocristal, más robusto y reproducible que el de contacto puntual. Fue el primer transistor fabricable en masa.
A qué dio paso
- La producción industrial de semiconductores y las licencias de Bell a Sony, TI y otros
- La fundación de Shockley Semiconductor y, por escisión, de Fairchild e Intel
- La electrónica de silicio de alta fiabilidad para misiles y satélites
Se apoya en
- Rectificador de óxido de cobre (Grondahl)1926
- Unión p-n en semiconductores1940
- Efecto transistor (amplificación en semiconductores)1947
- transistor de contacto puntual
- cultivo de monocristales (método Czochralski)
Hizo posible
- Transistor Darlington1953
- Célula solar fotovoltaica de silicio1954
- Radio de transistores1954
- Tiristor (rectificador controlado de silicio)1956-1957
- Circuito integrado (Kilby)1958
- Proceso planar de fabricación de semiconductores1959
- Transistor MOSFET1959
- Motor de corriente continua sin escobillas1962
- Sintetizador (Moog)1964
- Minicomputador (DEC PDP-8)1965
- Reloj de pulsera de cuarzo (Seiko Astron)1969
- computadores transistorizados