Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Insulated-gate bipolar transistor (IGBT)
- Fecha
- 1979-1983 · fiabilidad media
- Lugar
- Schenectady, Nueva York, EE. UU.
- Autoría
- B. Jayant Baliga (General Electric); Hans Becke y Carl Wheatley (RCA)
- Ámbito
- Materia y energía
⚠️ Dato en discusión: las fuentes no coinciden.
Qué es
Semiconductor de potencia que une la puerta aislada del MOSFET y la conducción del bipolar, y conmuta cientos de amperios con casi nada de excitación. Es el interruptor de los variadores, la tracción y los inversores solares.
Baliga lo realizó en 1979-80 y GE lo produjo en 1983; RCA patentó un dispositivo semejante en 1980 (Becke y Wheatley) y Toshiba y otros trabajaron en variantes. Aquí se fecha en 1982.
A qué dio paso
- variadores de frecuencia y trenes de alta velocidad
- inversores fotovoltaicos y de coches eléctricos
- convertidores HVDC modernos