Transistor MOSFET
MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
- Fecha
- 1959 · fiabilidad alta
- Lugar
- Bell Labs, Murray Hill, Nueva Jersey, EE. UU.
- Autoría
- Mohamed Atalla y Dawon Kahng (Bell Labs)
- Personas
- 👤 Dawon Kahng1931–1992👤 Martin Atalla1924–2009
- Ámbito
- Materia y energía
Qué es
Transistor de efecto de campo con puerta aislada por óxido de silicio, pequeño, de bajo consumo y fácil de integrar en masa. Es el dispositivo más fabricado de la historia (billones de unidades).
A qué dio paso
- Los chips de gran escala (LSI, VLSI) y la ley de Moore
- La electrónica de bajo consumo: calculadoras, relojes, móviles
- La tecnología CMOS que sostiene toda la computación actual
Se apoya en
- Transistor de efecto campo (patente de Lilienfeld)1925 (patente)
- Transistor bipolar de unión1948
- Tiristor (rectificador controlado de silicio)1956-1957
- Proceso planar de fabricación de semiconductores1959
- patente de transistor de efecto de campo de Lilienfeld (1925)