Memoria flash
Flash memory
- Fecha
- 1980-1987 · fiabilidad alta
- Lugar
- Toshiba, Kawasaki, Japón
- Autoría
- Fujio Masuoka (Toshiba); NOR presentada en 1984, NAND en 1987
- Personas
- 👤 Fujio Masuoka1943–
- Ámbito
- Saber y símbolos
Qué es
Memoria de semiconductor no volátil, borrable eléctricamente por bloques y sin partes móviles. Es el almacenamiento de móviles, cámaras, memorias USB y SSD.
A qué dio paso
- La fotografía digital y el móvil con almacenamiento interno
- La sustitución del disco duro por unidades de estado sólido
- El liderazgo de Samsung, Kioxia y Micron en memorias
Se apoya en
- Efecto túnel cuántico1928
- Transistor MOSFET1959
- EEPROM
- MOSFET de puerta flotante