V-NAND, memoria flash 3D de Samsung
Samsung V-NAND, 3D flash memory
- Fecha
- 2013 · fiabilidad alta
- Lugar
- Hwaseong, Gyeonggi, Corea del Sur
- Autoría
- Samsung Electronics
- Ámbito
- Saber y símbolos
Qué es
Memoria flash NAND con las celdas apiladas en vertical, de 24 capas y 128 Gb, fabricada en serie a partir de agosto de 2013. Superó el límite de miniaturización de la flash plana y permitió multiplicar la capacidad de las unidades de estado sólido.
Toshiba había propuesto la flash en 3D (BiCS) en 2007 y Samsung la presentó como TCAT en 2009; Samsung fue la primera en fabricarla en serie con celdas de trampa de carga.
A qué dio paso
- unidades SSD de gran capacidad y bajo coste
- memoria 3D NAND de más de cien capas en la industria
- almacenamiento en teléfonos y centros de datos