Unión p-n en semiconductores
The p-n junction in semiconductors
- Fecha
- 1940 · fiabilidad alta
- Lugar
- Bell Labs, Holmdel, Nueva Jersey, Estados Unidos
- Autoría
- Russell Ohl
- Personas
- 👤 Russell Ohl1898–1987
- Ámbito
- Materia y energía
Qué se descubrió
Ohl observa que un lingote de silicio con una frontera entre zonas de impurezas distintas rectifica la corriente y genera tensión al iluminarse: la unión p-n. Es el componente básico del diodo, el transistor y la célula solar.
Los términos 'tipo p' y 'tipo n' fueron acuñados en Bell Labs a raíz de este trabajo.
A qué dio paso
- Transistor (1947)
- Célula solar de silicio (1954)
- Diodos y LED
- Microelectrónica
Se apoya en
- Teoría de bandas (Bloch, Wilson, 1928-1931)
- Rectificadores de galena y de óxido de cobre
- Purificación del silicio
Hizo posible
- Transistor bipolar de unión1948
- Célula solar fotovoltaica de silicio1954
- Diodo de silicio
- Célula fotovoltaica
- Transistor de unión