Transistor FinFET tridimensional
FinFET (3D transistor)
- Fecha
- 2011 · fiabilidad alta
- Lugar
- UC Berkeley (1999) e Intel, Hillsboro, Oregón, EE. UU. (producción a 22 nm, 2011)
- Autoría
- Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu y Jeffrey Bokor (Berkeley); Intel Ivy Bridge
- Personas
- 👤 Chenming Hu1947–👤 Jeffrey Bokor👤 Tsu-Jae King Liu1956–
- Ámbito
- Materia y energía
Qué es
Transistor cuyo canal es una aleta vertical rodeada por la puerta en tres lados, lo que reduce fugas a escalas nanométricas. Prolongó la ley de Moore más allá de los 22 nm.
A qué dio paso
- Los chips móviles de alto rendimiento y bajo consumo
- El liderazgo de TSMC y Samsung en fabricación avanzada y la dependencia de Taiwán
- Los transistores gate-all-around de 3 y 2 nm
Se apoya en
- Transistor MOSFET1959
- Proceso planar de fabricación de semiconductores1959
- fotolitografía de inmersión
Hizo posible
- Apple M1, sistema en chip ARM para ordenadores2020
- chips de IA
- transistores gate-all-around